Как известно, на основе переходов металл - полу-проводник (МП) и металл–диэлектрик–полупроводник (МДП) создаются современ-ные микросхемы и электронные компоненты. В таких МП и МДП структурах, со-стояние поверхности полупроводника, его однородность и фазовый состав играют определяющую роль в формировании контактов.