Фотоэлектрические явления в однобазовых арсенидгаллиевых структурах с прямо и обратно включенными барьерами

Фотоэлектрические явления в однобазовых  арсенидгаллиевых структурах с прямо и обратно включенными барьерами
Daraja:
Oliy ta`lim
Turi:
Avtoreferat
Nashr etilgan yili:
2010
Til:
Rus tilida
Yaratilan vaqti:
2021-04-16 05:13:08
Актуальность работы. Известно, что проблема передачи светового сигнала на заданные дальние расстояния решается разработкой оптического волокна и согласованных с ним по длине волны излучателей и приемников. В то же время создание высокоскоростных устройств, т.е. основанных на оптических принципах хранения и транспортировки требует изыскания новых механизмов динамической модуляции потоков света и физико-технологических принципов изготовления используемых в них фотоэлектрических приборов.

Дабавлено : 2021-04-16 05:13:08

Этот категорий

Ўзбекистонда демократик жамият қуриш назарияси ва амалиёти

Бухгалтерский учет и аудит

Қарақалпақ тилинде теңлес еки компонентли фразеологизмлер oқыў - методикалық қолланба

Ижтимоий-маданий фаолиятда сценарийчилик

Озиқ-овқат маҳсулотлари технологияси

Новый

Жиззах вилоятида туристик дестинацияларни ташкил этишнинг ҳудудий жиҳатлари

Таълим муассасаси раҳбарининг бошқарув фаолиятида соғлом ва ижодий муҳитни яратиш механизмларини такомиллаштириш

Ишлаб чиқариш таълими усталарининг касбий компетентлигини ривожлантириш

Eliptik qismi yuqori tartibli bo`lgan kasr tartibli xususiy hosilali differensial tenglamalar uchun to`g`ri va teskari masalalar

Саноат корхоналари ривожланишининг инновацион стратегияларини такомиллаштириш