Yangi qattiq qotishmalar asosidagi yarim o’tkazgich materiallar va ularning xossalari

Hozirda 4-guruh elementlari bilan A3B5 birikmalar asosidagi qattiq qotishmalarning amaliy imkoniyatlari to’la o’rganilmagan. Bu yo’nalishda materialning soflik darajasini oshirish ularga kirishmalarning ta’siri kristall mukammalligini oshirish yo’nalishlarida izlanishlar bilan keng zonali (C24)1-x(A3B5)x qattiq qotishmalar epitaksial qatlamlarini o’stirish sharoitlarini tizimli ravishda nazariy va eksperimental o’rganish masalasi dolzarbdir [9-12]. Laboratoriya tadqiqotlari InP asosidagi fotoo’tkazgichlar ananaviy yarim o’tkazgichlarga (Ge, Si va hakozo) nisbatan elektron va proton ta’siriga chidamli ekanligini ko’rsatdi. Bundan tashqari bunday fotoo’tkazgichlar yana bir qator afzalliklarga ham ega ekanliklarini ta’kidlash kerak bo’ladi. Bulardan quyidagilarni keltirish mumkin InP birikmasidagi radiatsion defektlar 1000C haroratlarda ham kuyib ketadi. To’g’ri kuchlanishda asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilar injeksiyasida p-bazada legirlangan kirishmalar konsentratsiyasi oshishi bilan radiatsion defektlar kamayar ekan